DSP开发技术 (BM: chaosboy wbs)
发信人: Muff (笨笨), 信区: DSPTech
标 题: 问一个DSK6711上FLASHROM的问题！！！
发信站: BBS 水木清华站 (Wed Jun 12 17:03:18 2002)
看了一下TI提供的写FLASHROM的程序，有几个地方不是很明白：
1.每次向FLASH中写如数据时，为什么要执行下面的程序
*(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY1;
*(char *)FLASH_ADR2 = FLASH_KEY2;
*(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY3;
宏FLASH_ADR对应的地址在FLASHROM的空间中？
2.为什么要定义宏FLASH_WRITE_SIZE，是不是每次向flashrom中写入数据
长度有限制？
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发信人: wbs (永不言败), 信区: DSPTech
标 题: Re: 问一个DSK6711上FLASHROM的问题！！！
发信站: BBS 水木清华站 (Thu Jun 13 00:09:04 2002)
我觉得可能是Flash通常是8位或者16位的，所以写它的时候通常
需要需要分几步。没有看到具体程序，只是猜测。
你的flash是外置的吧？写起来肯定麻烦一些，因为还得写指令先。
【 在 Muff (笨笨) 的大作中提到: 】
: 看了一下TI提供的写FLASHROM的程序，有几个地方不是很明白：
: 1.每次向FLASH中写如数据时，为什么要执行下面的程序
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY1;
: *(char *)FLASH_ADR2 = FLASH_KEY2;
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY3;
: 宏FLASH_ADR对应的地址在FLASHROM的空间中？
: 2.为什么要定义宏FLASH_WRITE_SIZE，是不是每次向flashrom中写入数据
: 长度有限制？
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发信人: DSK6711 (DSK), 信区: DSPTech
标 题: Re: 问一个DSK6711上FLASHROM的问题！！！
发信站: BBS 水木清华站 (Thu Jun 13 09:07:44 2002)
这些代码都同所使用的flash芯片有关。TI的DSK6711板上用的是
SST29LE010，针对这种芯片的写代码都同你所提到的两段代码一样。
第一个主要是涉及到Software Data Protection (SDP)，其用于
防止对FLASH的误写入，目前好像所有的FLASH都采用了这种技术。
SST29LE010芯片资料上是这样写的：
With this scheme, any Write operation requires the
inclusion of a series of three byte-load operations
to precede the data loading operation.
The three byte-load sequence is used to initiate the Write cycle,
providing optimal protection from inadvertent write operations.
第二段代码是由于这种芯片的特性所决定的，它每次写入好像是必须
一次写入一个Page（128Bytes），这个是我看芯片手册后的理解，
不知是否完全正确。
具体你可以到SST公司站点上下SST29LE010芯片手册。
【 在 Muff (笨笨) 的大作中提到: 】
: 看了一下TI提供的写FLASHROM的程序，有几个地方不是很明白：
: 1.每次向FLASH中写如数据时，为什么要执行下面的程序
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY1;
: *(char *)FLASH_ADR2 = FLASH_KEY2;
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY3;
: 宏FLASH_ADR对应的地址在FLASHROM的空间中？
: 2.为什么要定义宏FLASH_WRITE_SIZE，是不是每次向flashrom中写入数据
: 长度有限制？
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